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Un mwdwcircuito integrato (mweain inglese mweqintegrated circuit, abbreviato mwegIC) è un mwewcircuito elettronico miniaturizzato dove i vari mwfatransistori sono stati formati tutti nello stesso istante grazie a un unico processo fisico-chimico.

Un mwfgchip (mwfwlett. "pezzetto") è il componente elettronico composto da una minuscola piastrina del mwgamwgqwafer di mwggsilicio (mwgwdie), a partire dalla quale viene costruito il circuito integrato; in pratica, il mwhqchip è il supporto che contiene gli elementi (attivi o passivi) che costituiscono il circuito. A volte si utilizza il termine mwhgchip per indicare complessivamente l'integrato.

Viene realizzato a partire da un die di un mwiawafer di un mwiqsemiconduttore (generalmente mwigsilicio) attraverso diverse possibili mwiwscale di integrazione e rappresenta il mwjamwjqcore o nucleo o dispositivo di elaborazione del mwjgprocessore. Il circuito integrato è adibito, sotto forma di mwjwrete logica mwkadigitale o mwkqanalogica, a funzionalità di processamento o mwkgelaborazione di ingressi espressi sotto forma di mwkwsegnali elettrici, al fine di ottenere dati in uscita. L'ideazione del circuito integrato si deve a mwlaJack St. Clair Kilby, che nel 1958 ne costruì il primo esemplare composto da circa dieci componenti elementari, per il quale vinse il mwlqpremio Nobel per la fisica nel 2000.

• Storia

• Descrizione

• Componenti integrabili

• Il contenitore (package in inglese )

• Scala di integrazione

• Il processo di realizzazione

• Tipologie

• Versioni per il mercato

• Costo e impatto

• Riciclo

• Note

• Voci correlate

• Altri progetti

• Collegamenti esterni

Il primo concetto di "circuito integrato" risale al 1949 quando il fisico mwpatedesco Werner Jacobicite-ref-computerhistory-ic-1-0[1] della mwqqSiemens AGcite-ref-2[2] brevettò un circuito mwrgamplificatore simil-integratocite-ref-jacobi1949-3-0[3] che presentava cinque mwswtransistor su un substrato unico a tre stadi. Jacobi brevettò il sistema per uso come mwtaapparecchio acustico, come tipico utilizzo industriale.

L'idea origine successiva venne presentata dal britannico Geoffrey Dummer (1909-2002), uno scienziato che lavorava al Royal Radar Establishment per conto del mwuaMinistero della difesa. Dummer presentò pubblicamente l'idea al "Symposium on Progress in Quality Electronic Components" a mwuqWashington il 7 maggio 1952.cite-ref-4[4] Fece pubblicazioni diverse per la sua idea ma non riuscì a realizzarla concretamente neanche nel 1956. Tra il 1953 e il 1957, mwvgSidney Darlington e Yasuro Tarui della Electrotechnical Laboratory (ora National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) proposero un chip dove diversi transistor erano condivisi su un monolite, ma non c'era nessun isolamento a giunzione p-n a separarli.cite-ref-computerhistory-ic-1-1[1]

La creazione di circuiti integrati monolitici (chip) fu possibile dal processo di mwyapassivazione superficiale, che stabilizzava elettricamente il mwyqsilicio mediante ossidazione termica, rendendo possibile la fabbricazione dei dispositivi. La passivazione superficiale fu inventata da mwywMohamed M. Atalla presso i mwzaBell Laboratories nel 1957. Questo rese possibile il mwzqprocesso planare, sviluppato da mwzgJean Hoerni alla mwzwFairchild Semiconductor agli inizi del 1959.cite-ref-5[5]cite-ref-bassett46-6-0[6]cite-ref-sah-7-0[7] Un concetto chiave che sta dietro la realizzazione dei circuiti integrati a semiconduttore è il principio dell'isolamento a giunzione p-n, che permette ad ogni transistor di operare in modo indipendente anche se appunto presenti sulla stessa superficie di silicio. Atalla con il suo processo permise di isolare elettricamente mwdqdiodi e transistor,cite-ref-wolf-8-0[8] permettendo la creazione di tali dispositivi a Kurt Lehovec presso la Sprague Electric nel 1959,cite-ref-9[9] e a mwgaRobert Noyce della Fairchild lo stesso anno, qualche mese più tardi.cite-ref-r6-10-0[10]cite-ref-11[11]

Negli mwiganni 2000 iniziarono ad affermarsi materiali bidimensionali che possono essere impilati separatamente, strato per strato, quali: il mwiwgrafene o i mwjadicalcogenuri di mwjqmetalli di transizione (TMD), tra cui il mwjgbisolfuro di mwjwmolibdeno, il bisolfuro di mwkatungsteno, il mwkqdiseleniuro di molibdeno e il diseleniuro di tungsteno.cite-ref-12[12]

Nel 2025 viene presentato il primo chip in una lega stabile di silicio, germanio, stagno e carbonio.cite-ref-13[13]cite-ref-14[14]

Sempre nel 2025 viene avviata la produzione di massa del primo chip termodinamico, che utilizza a proprio favore il rumore relativo alle fluttuazioni elettroniche, alla dissipazione di energia e alla aleatorietà delle variabili in gioco. È ottimizzato per la generazione di immagini e video con l'intelligenza artificiale generativa.cite-ref-15[15]

Nel novembre dello stesso anno viene realizzato un microchip che Integra una mwpqrete neurale a microonde analogiche e capace di una frequenza di 20 gigahertz.cite-ref-16[16]cite-ref-17[17]cite-ref-18[18]

Tali sistemi sono i componenti mwtahardware essenziali dei sistemi di elaborazione dati quali ad esempio i mwtqcomputer (es. mwtgprocessore o mwtwCPU); i mwuamicroprocessori e i mwuqmicrocontrollori sono gli integrati presenti su moltissimi dispositivi elettronici. Il circuito elettronico è realizzato su un substrato di materiale mwuwsemiconduttore (in genere mwvasilicio ma anche mwvqarseniuro di gallio o altro) chiamato mwvgmwvwdie e può essere costituito da poche unità fino a qualche centinaio di milioni di componenti elettronici elementari (mwwatransistor, mwwqdiodi, mwwgcondensatori e mwwwresistori). Il termine mwxaintegrato fa riferimento proprio alla presenza di una vasta e spesso alta concentrazione, in funzione della cosiddetta mwxqscala di integrazione e in una piccola area, di componenti elettronici di base utili al mwxgprocessing del segnale entrante.

Il costo di fabbricazione di un circuito integrato varia molto poco (o rimane costante) al crescere della sua complessità, per cui è molto più economico sviluppare circuiti complessi, composti di una serie di stadi interni interconnessi fra loro e con l'esterno, che accentrino tutte le funzioni necessarie ad una specifica apparecchiatura. Per questo, l'industria mwyamicroelettronica offre relativamente pochi tipi di IC generici (mwyqgeneral purpose), ma decine di migliaia di IC specializzati (mwygspecial purpose) ovvero ciascuno progettato per uno scopo specifico.

Il costo di vendita al dettaglio al pubblico è piuttosto contenuto variando a seconda dei tipi tra i 2 e gli 8 mwza€, mentre l'incremento nel tempo del numero di componenti elettronici integrati sul chip segue la mwzqlegge di Moore.

In un circuito integrato si possono integrare facilmente transistor e diodi: è possibile creare nel substrato semiconduttore anche piccole mw0aresistenze e mw0qcondensatori, ma in genere questi ultimi componenti occupano molto spazio sul chip e si tende ad evitarne l'uso, sostituendoli quando possibile con reti di transistor.

È possibile integrare anche mw0winduttori, ma il valore delle induttanze ottenibili è molto piccolo (nell'ordine dei mw1anano mw1qhenry (nH)): il loro impiego è molto limitato a causa dell'enorme occupazione di area che anch'esse richiedono, anche solo per realizzare induttori di piccolissimo valore. Inoltre, la tecnologia realizzativa dei circuiti integrati (non dedicati alle altissime frequenze) e quindi i notevoli effetti parassiti ne limitano sensibilmente le prestazioni, soprattutto se paragonati ai classici induttori non su circuito integrato.

Tali induttori integrati vengono solitamente impiegati nei circuiti integrati a mw1wradiofrequenze (LNAcite-ref-19[19], mw3amixer, ecc), ad esempio a frequenze attorno ai mw3qgigamw3ghertz (GHz)cite-ref-20[20]. Condensatori di media e grande capacità non sono assolutamente integrabili. Sono disponibili invece vari tipi di integrati aventi la funzione mw4wrelè, ovvero dispositivi dotati di ingressi logici, per mezzo dei quali interrompere o deviare segnali analogici anche multipli.

Un circuito integrato può essere realizzato in diversi contenitori:

• mw7wDIL o DIP (Dual In-line Package)

• SOIC - Small outline integrated circuit

• mw9aQFP (Quad-edged Flat Package)

• HQFP (Heat sinked Quad Flat Package): QFP ad alta dissipazione termica

• VQFP (Very small Quad Flat Package): QFP plastici ultrasottili

• mw-wBGA (Ball Grid Array)

• μBGA (micro Ball Grid Array): BGA a passo ridotto

• FF896: BGA flip-chip a passo ridotto e 896 contatti

• FF1152: BGA flip-chip a passo ridotto e 1152 contatti

• mwaquPLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)

• InFO -

• CoWos - Chip-on-Wafer-on-Substrate

Il contenitore può essere in metallo, resine plastiche o ceramica. La categoria dei circuiti personalizzati (custom in inglese) comprende contenitori sia in formato standard che fuori standard. Questi ultimi hanno una forma e una mwaqspiedinatura unica. Ne fanno largo impiego i produttori di strumenti di misura elettronici di classe elevata. È in uso da tempo da parte dei produttori, marchiare il componente (almeno i più diffusi), con la data di produzione costituita da un numero di 4 cifre, di cui le prime due indicano l'anno e le seguenti la settimana.

Già prima del 2000 hanno cominciato a essere molto usati i componenti in contenitori mwaq0SMD (a montaggio superficiale), perché sono più piccoli, più economici e risparmiano la necessità di forare la basetta portacomponenti, semplificando molto le operazioni di montaggio eseguite su linee di produzione robotizzate.

La mwarascala di integrazione di un circuito integrato dà una indicazione della sua complessità, indicando grosso modo quanti mwaretransistor sono contenuti in esso. In base alla scala di integrazione, i circuiti possono essere classificati in:

• mwarqSSI (mwaruSmall scale integration): meno di 10 transistor.

• mwarcMSI (mwargMedium scale integration): da 10 a 100 transistor.

• mwaroLSI (mwarsLarge scale integration): da 100 a 10000 transistor.

• mwar0VLSI (mwar4mwar8Very large scale integration): da 10000 a 100000 transistor.

• mwaseULSI (mwasiUltra large scale integration) (non molto utilizzata): fino a 10 milioni di transistor.

Per numeri superiori di transistor presenti, l'integrazione viene definita come mwasqWSI (mwasuWafer Scale Integration), potendo contenere un intero computer.

Collegata alla scala di integrazione vi è la capacità performante del circuito integrato, che aumenta con il numero dei transistor in accordo con la mwasclegge di Moore.

Il materiale di partenza è una fetta circolare (mwatiwafer) di semiconduttore, detta mwatmsubstrato, questo materiale, in genere già debolmente mwatqdrogato, viene drogato ulteriormente per mwatuimpiantazione ionica o per mwatydiffusione termica per creare le zone attive dei vari dispositivi (es. zone mwatcp e mwatgn nei transistor); poi vengono depositati, cresciuti per mwatkepitassia oppure termicamente, una serie di sottili strati di materiali diversi:

• Strati di semiconduttore policristallino (definito di grado elettronico EGS, mwatwmwat0Electronic mwat4Grade mwat8Silicon, cioè silicio con meno di un'impurità ogni miliardo di atomi e quindi molto puro);

• Strati isolanti sottili;

• Strati isolanti di ossido, molto più spessi;

• Strati metallici (mwaumsiliciuri o metalli come ad esempio mwauqalluminio, mwauutungsteno o più raramente mwauyrame) per i collegamenti elettrici.

La geometria delle zone che devono ricevere il drogaggio e quella dei vari strati è impressa sul substrato con un processo di mwaugfotolitografia: ogni volta che il circuito integrato in lavorazione deve ricevere un nuovo strato o una nuova impiantazione di droganti, viene ricoperto di un sottile film fotosensibile, che viene impressionato attraverso un negativo fotografico (detto "maschera" o "layout") ad altissima definizione.

Le zone del film illuminate divengono solubili e vengono asportate dal lavaggio, lasciando scoperto il chip sottostante, pronto per la prossima fase di lavorazione, rimozione selettiva o drogaggio delle aree prive del film fotosensibile.

Una volta terminata la creazione dei chip sul substrato, questi vengono testati, il substrato viene tagliato e i chip incapsulati nei contenitori mwavi(packages in inglese) con cui verranno montati sui mwavmcircuiti stampati attraverso i piedini, detti anche mwavqpin in inglese.

I circuiti integrati si dividono principalmente in due grandi categorie: analogici e digitali. Esistono tipi di circuito che non rientrano in queste due: essi hanno funzioni particolari, di uso meno diffuso, come, ad esempio, i mwav0mwav4sample and hold. I produttori le raggruppano in sottocategorie specializzate.

Quelli analogici sono concepiti per elaborare segnali analogici (cioè che possono variare con continuità nel tempo in modo arbitrario), mentre quelli digitali sono creati per trattare con segnali digitali binari, che possono assumere soltanto due valori "legittimi" diversi. Un esempio di IC analogico generico è l'mwawaamplificatore operazionale, mentre esempi di IC digitali sono le mwaweporte logiche, i mwawimwawmmultiplexer e i mwawqcontatori.

Storicamente i primi circuiti integrati furono digitali, sviluppati per i primi mwawscomputer. Questi IC adottavano schemi elettrici interni di tipo mwawwmwaw0RTL (da mwaw4Resistor mwaw8Transistor mwaxaLogic), cioè integravano una serie di mwaxeresistenze su semiconduttore per le polarizzazioni interne: successivamente le resistenze vennero sostituite con mwaxidiodi, ottenendo schemi mwaxmmwaxqDTL (mwaxuDiode mwaxyTransistor mwaxcLogic), e nel 1961 anche i diodi furono sostituiti con transistor nella famiglia mwaxgmwaxkTTL (mwaxoTransistor mwaxsTransistor mwaxwLogic), a cui sono seguite le varianti a basso consumo (LS) e quelle più veloci.

Esiste una famiglia chiamata mwax4mwax8ECL (mwayaEmitter mwayeCoupled mwayiLogic) il cui principio di funzionamento fu realizzato nel 1956 nei laboratori mwaymIBM; di impiego meno diffuso delle altre ma tuttora usata, è caratterizzata da una velocità di commutazione estremamente rapida, a scapito però del consumo di corrente, molto elevato.

A seconda del tipo di mwayutransistor utilizzato, i circuiti integrati si dividono poi ulteriormente in mwayyBipolari se usano mwayctransistor bipolari classici o mwaygmwaykCMOS (mwayoComplementary mwaysMetal mwaywOxide mway0Semiconductor) se usano transistor mway4MOSFET. Negli anni '90 la mway8Intel mise a punto una nuova tecnologia ibrida per i suoi microprocessori, detta mwazaBiCMOS, che permette di usare entrambi i tipi di transistor sullo stesso chip.

Come avviene per molti componenti elettronici, includendo diodi e transistor, anche i circuiti integrati vengono commercializzati in due o più versioni, aventi ciascuna prestazioni elettriche e termiche differenti. Dato che i chip non hanno tutti caratteristiche elettriche perfettamente identiche, il produttore opera una selezione, dividendo in due o più fasce prestazionali lo stesso circuito. Anche il mwazmpackage può essere diverso.

I parametri sui quali viene fatta la selezione possono essere i più vari: temperatura di lavoro garantita, percentuale di errore nella conversione nel caso di un convertitore A/D, grado di linearità di un sensore di temperatura, tensione di lavoro garantita e tanti altri. Per esempio, l'amplificatore operazionale LM108 viene commercializzato anche nella versione LM208 e LM308; il primo ha prestazioni migliori dei secondi, compresa la tensione di lavoro, il vantaggio di poter alimentare l'operazionale con 18 volt speculari invece di 15, permette di avere un segnale di uscita con un livello di tensione più alto, oppure, alimentato con una tensione minore, garantire al circuito in cui è impiegato, una maggiore affidabilità nel tempo.

In genere, le fasce di temperatura di lavoro che si possono garantire per le più diffuse famiglie di circuiti integrati sono quattro:

• la fascia "mwazgconsumer" (TV, hi-fi, telefoni, etc.) 0 ÷ 75mwazk °C

• la fascia "mwazsindustrial" (mwazwrobotica, mwaz0automazione, apparecchiature industriali) -25 ÷ 85mwaz4 °C

• la fascia "mwaaaautomotive" (applicazioni nel campo automobilistico) -40 ÷ 85mwaae °C (che tende a sostituire la fascia "industrial")

• la fascia "mwaammilitary" (apparecchiature mediche, militari, satellitari) -55 ÷ 125mwaaq °C

Ovviamente il prezzo del dispositivo varia anche notevolmente da una fascia ad un'altra. Il package dei dispositivi in fascia military è quasi esclusivamente ceramico.

In alcuni casi, è il costruttore stesso di un'apparecchiatura elettronica ad effettuare un'ulteriore selezione, volta ad ottenere il componente con caratteristiche ancora superiori, necessarie all'impiego previsto nel circuito in progetto.

Nei casi estremi, quando nessun circuito in commercio possiede le caratteristiche necessarie per il progetto in corso, il costruttore progetta e realizza da sé il componente o affida ad altri la realizzazione; il componente porterà una sigla non commerciale e potrà avere caratteristiche non standard. Sarà un mwaa4mwaa8custom.

I costi di realizzazione dei circuiti integrati si sono ridotti notevolmente nel tempo grazie a tecnologie sempre più efficienti ed automatizzate e alla forte mwabieconomia di scala e sono divenuti ormai componenti elettronici circuitali a costo relativamente basso.

Secondo mwabqMcKinsey, dal 1995 al 2015 l'industria dei microchip ha generato un mwabufatturato di 3.000 miliardi di dollari e un mwabyindotto di 11.000.cite-ref-21[21]

IBM ha elaborato nel 2007 un metodo per riciclare il silicio contenuto nei chip e per poterlo riutilizzare per mwab0sistemi fotovoltaicicite-ref-22[22]. Il processo ha vinto "mwaciMost Valuable Pollution Prevention Award" nel 2007.

cite-note-computerhistory-ic-11. ↑ mwacsmwacwmwac0Who Invented the IC? - @CHM Blog - Computer History Museum, su mwac4computerhistory.org, 20 agosto 2014.

cite-note-22. ↑ mwadimwadmmwadqIntegrated circuits help Invention, su mwaduintegratedcircuithelp.com. mwadyURL consultato il 13 agosto 2012 mwadc(archiviato dall'mwadgurl originale il 2 agosto 2020).

cite-note-jacobi1949-33. ↑ citerefW. Jacobi/SIEMENS AG: "Halbleiterverstärker" priority filing on 14 April 1949, published on 15 May 1952.,mwadw mwad0833366, Germania.

cite-note-44. ↑ mwaee(mwaeimwaemEN) mwaeqmwaeuThe Hapless Tale of Geoffrey Dummer, in mwaeyElectronic Product News. mwaecURL consultato il 29 aprile 2026 mwaeg(archiviato dall'mwaekurl originale l'11 maggio 2013).mwaew

cite-note-55. ↑ mwafcBo Lojek, mwafgHistory of Semiconductor Engineering, Springer Science & Business Media, 2007, pp.mwafk 120 & 321–323, mwafoISBNmwafs 978-3-540-34258-8.

cite-note-bassett46-66. ↑ mwagaRoss Knox Bassett, mwagemwagiTo the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology, Johns Hopkins University Press, 2007, p.mwagm 46, mwagqISBNmwagu 978-0-8018-8639-3.

cite-note-sah-77. ↑ mwagoChih-Tang Sah, mwagwmwag0Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI (mwag4mwag8PDF), in mwahaProceedings of the IEEE, vol.mwahi 76, n.mwahm 10, ottobre 1988, pp.mwahq 1280–1326 (1290), mwahuBibcode:mwahy1988IEEEP..76.1280S, mwahcDOI:mwahg10.1109/5.16328, mwahkISSNmwaho 0018-9219. mwaim«Those of us active in silicon material and device research during 1956–1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.»

cite-note-wolf-88. ↑ mwaicStanley Wolf, mwaigmwaikA review of IC isolation technologies, in mwaioSolid State Technology, marzo 1992, p.mwais 63.

cite-note-99. ↑ Kurt Lehovec's patent on the isolation p–nmwai8 junction: mwaja(mwajemwajiEN) mwajm mwajqmwajuUS3029366, mwajyUnited States Patent and Trademark Office, Stati Uniti d'America. granted on 10 April 1962, filed 22 April 1959. Robert Noyce acknowledges Lehovec in his article – "Microelectronics", mwajcmwajgScientific American, September 1977, Volume 23, Number 3, pp. 63–69.

cite-note-r6-1010. ↑ mwajwmwaj0mwaj4Interview with Robert Noyce, 1975–1976, su mwaj8ieeeghn.org, IEEE. mwakaURL consultato il 22 aprile 2012 mwake(archiviato dall'mwakiurl originale il 19 settembre 2012).

cite-note-1111. ↑ citerefciterefbrock2010D. Brock e C. Lécuyer, mwakymwakcMakers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor, a cura di Lécuyer, C., MIT Press, 2010, p.mwakg 158, mwakkISBNmwako 978-0-262-01424-3.

cite-note-1212. ↑ mwak8mwalamwalePechino crea materiale bidimensionale per produrre i microchip. Una innovazione che spiazza gli USA, su mwaliscenarieconomici.it, 28 agosto 2023.

cite-note-1313. ↑ mwaly(mwalcmwalgEN) Omar Concepción, Ambrishkumar J. Devaiya e Marvin H. Zoellner, mwalkmwaloAdaptive Epitaxy of C-Si-Ge-Sn: Customizable Bulk and Quantum Structures, in mwalsAdvanced Materials, n/a, n/a, pp.mwalw 2506919, mwal0DOI:mwal410.1002/adma.202506919. mwal8URL consultato il 29 luglio 2025.

cite-note-1414. ↑ mwammmwamqmwamuGermania: creato il materiale impossibile per i chip del futuro, su mwamyhdblog.it.

cite-note-1515. ↑ mwamomwamsmwamwIl primo semiconduttore termodinamico al mondo: ecco come funziona, su mwam0dday.it.

cite-note-1616. ↑ mwaneNasce il primo chip a microonde: consuma meno ed è più rapido, 11 novembre 2025

cite-note-1717. ↑ mwanu(mwanymwancEN) Bala Govind, Maxwell G. Anderson e Fan O. Wu, mwangmwankAn integrated microwave neural network for broadband computation and communication, in mwanoNature Electronics, vol.mwans 8, n.mwanw 8, 2025-08, pp.mwan0 738–750, mwan4DOI:mwan810.1038/s41928-025-01422-1. mwaoaURL consultato il 13 novembre 2025.

cite-note-1818. ↑ mwaoq(mwaoumwaoyEN) mwaocmwaogResearchers build first ‘microwave brain’ on a chip | Cornell Chronicle, su mwaoknews.cornell.edu. mwaooURL consultato il 13 novembre 2025.

cite-note-1919. ↑ mwao4Low-Noise Amplifier, amplificatore a basso rumore

cite-note-2020. ↑ È possibile simulare un induttore in un circuito integrato usando un condensatore con un mwapiGiratore (ed in alcuni circuiti integrati viene realizzato) ma va tenuto conto dei limiti delle possibilità di simulazione (frequenza massima, corrente, ecc.). Altri costruttori riescono a simulare un induttore con un circuito che usa componenti attivi: ad esempio il circuito integrato mwapmmwapqmwapuLM2677 della National Semiconductor dove in un integrato switching viene simulato un induttore con induttanza di valore elevato (20 mH) (mwapyActive Inductor Patent Number 5,514,947) (mwapcmwapgPDF), su mwapkcache.national.com mwapo(archiviato dall'mwapsurl originale il 22 novembre 2008).)

cite-note-2121. ↑ mwap8Giancarlo Calzetta, mwaqamwaqeSiliconomy, un giro d'affari planetario da 574 miliardi che l'IA porterà al trilione di dollari, su mwaqiamp24.ilsole24ore.com, 22 settembre 2023.

cite-note-2222. ↑ mwaqymwaqcmwaqgReuters UK:"IBM to recycle silicon wafers for solar industry", Tue Oct 30, 2007, su mwaqkuk.reuters.com. mwaqoURL consultato il 30 aprile 2019 mwaqs(archiviato dall'mwaqwurl originale il 30 settembre 2018).

• mwaraChipset

• mwariCircuito integrato per applicazione specifica

• mwarqCMOS

• mwaryComponente elettronico

• mwargDie (elettronica)

• mwaroJack St. Clair Kilby

• mwarwLogica NMOS

• mwar4Logica PMOS

• mwasaMicrocontrollore

• mwasiMicroprocessore

• mwasqPackage (elettronica)

• mwasyTransistor

Altri progetti

• Wikibooks

• Wikizionario

• Wikimedia Commons

• Wikibooks contiene testi o manuali sul circuito integrato

• Wikizionario contiene il lemma di dizionario «microchip»

• Wikimedia Commons contiene immagini o altri file sul circuito integrato

• citereftreccani-itCircuito integrato, su Treccani.it – Enciclopedie on line, Istituto dell'Enciclopedia Italiana.

• citerefbritannica-com(EN) Christopher Saint e Judy Lynne Saint, integrated circuit, su Enciclopedia Britannica, Encyclopædia Britannica, Inc.

• citerefopen-library(EN) Opere riguardanti Integrated circuits, su Open Library, Internet Archive.

• citereffoldoc(EN) Denis Howe, integrated circuit, in Free On-line Dictionary of Computing. Disponibile con licenza mwas0GFDL